資深工程師從7個(gè)方面分析開關(guān)電源的設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)

1電源設(shè)計(jì)項(xiàng)目前期各個(gè)參數(shù)注意細(xì)節(jié)

借鑒下NXP這個(gè)TEA 1832圖紙做個(gè)說明。分析里面的電路參數(shù)設(shè)計(jì)與優(yōu)化并做到認(rèn)證至量產(chǎn)。所有的元器件中盡量選擇公司倉(cāng)庫(kù)里面的元件，和量大的元件，方便后續(xù)降本錢拿價(jià)格。

貼片電阻采用06035%08055%1%貼片電容容值越大價(jià)格越高，設(shè)計(jì)時(shí)需考慮。

1輸入端，F(xiàn)USE選擇需要考慮到I^2T參數(shù)。安全絲的分類，快斷，慢斷，電流，電壓值，安全絲的認(rèn)證是否齊全。安全絲前的安規(guī)距離2.5mm以上。設(shè)計(jì)時(shí)盡量放到3mm以上。需考慮打雷擊時(shí)，安全絲I2T否有余量，會(huì)不會(huì)打掛掉。

2這個(gè)圖中可以增加個(gè)壓敏電阻，一般采用14D471也有采用561直徑越大抗浪涌電流越大，也有增強(qiáng)版的10S47114S471等，一般14D471打1KV2KV雷擊夠用了增加雷擊電壓就要換成MOV+GDT有必要時(shí)，壓敏電阻外面包個(gè)熱縮套管。

3NTC這個(gè)圖中可以增加個(gè)NTC有的客戶有限制冷啟動(dòng)浪涌電流不超過60A 30A NTC另一個(gè)目的還可以在雷擊時(shí)扛部分電壓，減下MOSFET壓力。選型時(shí)注意NTC電壓，電流，溫度等參數(shù)。

4共模電感，傳導(dǎo)與輻射很重要的一個(gè)濾波元件，共模電感有環(huán)形的高導(dǎo)材料5K7K0K12K15K常用繞法有分槽繞，并繞，蝶形繞法等，還有UU型，分4個(gè)槽的ET型。這個(gè)如果能共用老機(jī)種的，本錢考慮，傳導(dǎo)輻射測(cè)試完成后才能定型。

5X電容的選擇，這個(gè)需要與共模電感配合測(cè)試傳導(dǎo)與輻射才干定容值，一般情況為功率越大X電容越大。

6如果做認(rèn)證時(shí)有輸入LN放電時(shí)間要求，需要在X電容下放2并2串的電阻給電容放電。

7橋堆的選擇一般需要考慮橋堆能過得浪涌電流，耐壓和散熱，防止雷擊時(shí)掛掉。

8VCC啟動(dòng)電阻，注意啟動(dòng)電阻的功耗，主要是耐壓值，1206一般耐壓200V0805一般耐壓150V能多留余量比較好。

9輸入濾波電解電容，一般看成本的考慮，輸出堅(jiān)持時(shí)間的10mS依照電解電容容值的小情況80%容值設(shè)計(jì)，不同廠家和不同的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)有點(diǎn)出入，有一點(diǎn)要注意普通的電解電容和扛雷擊的電解電容，電解電容的紋波電流關(guān)系到電容壽命，這個(gè)看和具體的系列了

10輸入電解電容上有并聯(lián)一個(gè)小瓷片電容，這個(gè)平時(shí)體現(xiàn)不出來用處，做傳導(dǎo)抗擾度時(shí)有效果。

11RCD吸收局部，R取值對(duì)應(yīng)MOSFET上的尖峰電壓值，如果采用貼片電阻需注意電壓降額與功耗。C一般取102/1031KV高壓瓷片，整改輻射時(shí)也有可能會(huì)改為薄膜電容效果好。D一般用FR107FR207整改輻射時(shí)也有改為1N4007情況或者其他慢管，或者在D上套磁珠(K5A K5C等材質(zhì))小功率電源，RC可以采用TVS管替代，如P6KE160等。

12MOSFET選擇，起機(jī)和短路情況需要注意SOA 高溫時(shí)的電流降額，低溫時(shí)的電壓降額。一般600V2-12A 足夠用與100W以內(nèi)的反激，根據(jù)本錢來權(quán)衡選型。整改輻射時(shí)很多方法沒有效果的時(shí)候，換個(gè)MOSFET就過了情況經(jīng)常有。

13MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻一般采用10R+20R阻值大小對(duì)應(yīng)開關(guān)速度，效率，溫升。這個(gè)參數(shù)需要整改輻射時(shí)調(diào)整。

14MOSFETGA TESOURCE端需要增加一個(gè)10K-100K電阻放電。

15MOSFETSOURCEGND之間有個(gè)Isens電阻，功率盡量選大，盡量采用繞線無感電阻。功率小，或者有感電阻短路時(shí)有遇到過炸機(jī)現(xiàn)象。

16Isens電阻到ICIsens增加1個(gè)RC取值1K331調(diào)試時(shí)可能有作用，如果采用這個(gè)TEA 1832電路為參考，增加一個(gè)C并聯(lián)到GND

17不同的IC外圍引腳參考設(shè)計(jì)手冊(cè)即可，根據(jù)自己的經(jīng)驗(yàn)在IC引腳處放濾波電容。

18更改前：變壓器的設(shè)計(jì)，反激變壓器設(shè)計(jì)論壇里面討論很多，不多說。還是考慮本錢，盡量不在變壓器里面加屏蔽層，頂多在變壓器外面加個(gè)十字屏蔽。變壓器一定要驗(yàn)算deltaB值，deltaB=L*Ipk/N*A eLuHIpkAN為初級(jí)砸數(shù)(TAemm2有興趣驗(yàn)證這個(gè)公式可以在低電壓輸入，輸出負(fù)載不時(shí)增加，看到變壓器飽和波形，飽和時(shí)計(jì)算結(jié)果應(yīng)該是500mT左右。變壓器的VCC輔助繞組盡量用2根以上的線并繞，之前很大批量時(shí)有碰到過有幾個(gè)輔助繞組輕載電壓不夠或者重載時(shí)VCC過壓的情況，2跟以上的VCC輔助繞線能盡量耦合更好解決電壓差別大這個(gè)問題。

18更改后：變壓器的設(shè)計(jì)，反激變壓器設(shè)計(jì)論壇里面討論很多，不多說。還是考慮本錢，盡量不在變壓器里面加屏蔽層，頂多在變壓器外面加個(gè)十字屏蔽。變壓器一定要驗(yàn)算deltaB值，防止高溫時(shí)磁芯飽和。deltaB=L*Ipk/N*A eLuHIpkAN為初級(jí)砸數(shù)(TAemm2參考TDG公司的磁芯特性(100℃)飽和磁通密度390mT剩磁55mT所以ΔB值一般取330mT以內(nèi)，呈現(xiàn)異常情況不飽和，一般取值小于300mT以內(nèi)。之前做反激變壓器取值都是小于0.3附，學(xué)習(xí)zhangyip經(jīng)驗(yàn)(所以一般的磁通密度選擇1500高斯，變壓器小的可以選大一些，變壓器大的要選小一些，頻彔高的減小頻彔低的可以大一些吧。

變壓器的VCC輔助繞組盡量用2根以上的線并繞，之前很大批量時(shí)有碰到過有幾個(gè)輔助繞組輕載電壓不夠或者重載時(shí)VCC過壓的情況，2跟以上的VCC輔助繞線能盡量耦合更好解決電壓差別大這個(gè)問題。